Renesas Electronics America Inc Rbn75h65t1fpq-A0#CB0
Абу / Игбт
- Проиджоделх: Renesas Electronics America Inc
- NoMerPOIзVODITELEL: Renesas Electronics America Inc Rbn75h65t1fpq-A0#CB0
- Епаково: Трубка
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 8771
- Sku: RBN75H65T1FPQ-A0#CB0
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Renesas Electronics America Inc |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИГБТ | Поящь |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 650 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 150 А. |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 2V @ 15V, 75A |
| Синла - МАКС | 312 Вт |
| Переклхейн | 1,6mj (ON), 1MJ (OFF) |
| ТИПВ | Станода |
| ЗArAd -vvoROT | 54 NC |
| TD (ON/OFF) @ 25 ° C | 29ns/113ns |
| ИСЛОВЕЕ ИСПАН | 400V, 75A, 16OM, 15 В |
| ВОЗНАЯ ВОЗНА | 72 м |
| Rraboч -yemperatura | 175 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | 247-3 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 247А |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодадж | 25 |
Trench Igbt 650 В 150 A 312 sthereз otwerstie odo 247a
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F