Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Rohm Semiconductor RGT80TS65DGC11 - Rohm Semiconductor IGBT - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ром Полупроводник RGT80TS65DGC11

РГТ80ТС65ДГК11

  • Производитель: Ром Полупроводник
  • Номер производителя: Ром Полупроводник RGT80TS65DGC11
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5
  • Артикул: РГТ80ТС65ДГК11
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $4,6900

Дополнительная цена:$4,6900

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ром Полупроводник
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Не для новых дизайнов
Тип БТИЗ Траншейная полевая остановка
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 650 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 70 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm) 120 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,1 В при 15 В, 40 А
Мощность - Макс. 234 Вт
Переключение энергии -
Тип входа Стандартный
Заряд от ворот 79 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C 34 нс/119 нс
Условия испытаний 400В, 40А, 10Ом, 15В
Время обратного восстановления (trr) 58 нс
Рабочая температура -40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования ТО-247Н
Базовый номер продукта РГТ80
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 30
IGBT Trench Field Stop 650 В 70 А 234 Вт сквозное отверстие TO-247N