Технология микрочипа APT75GN60SDQ2G

IGBT FIELDSTOP COMBI 600В 75А ТО

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Технология микрочипа APT75GN60SDQ2G
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 33
Артикул: АПТ75GN60SDQ2G
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $10.6800

Дополнительная цена:$10.6800

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	Траншейная полевая остановка
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	600 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	155 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm)	225 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	1,85 В @ 15 В, 75 А
Мощность - Макс.	536 Вт
Переключение энергии	2,5 мДж (вкл.), 2,14 мДж (выкл.)
Тип входа	Стандартный
Заряд от ворот	485 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C	47 нс/385 нс
Условия испытаний	400В, 75А, 1Ом, 15В
Время обратного восстановления (trr)	25 нс
Рабочая температура	-55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	ТО-268-3, Д³Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА
Поставщик пакета оборудования	Д3ПАК
Базовый номер продукта	АПТ75ГН60
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	150-APT75GN60SDQ2G
Стандартный пакет	30

IGBT Trench Field Stop 600 В 155 А 536 Вт Для поверхностного монтажа D3PAK