电阻 — Поиск электронных компонентов — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner
Chips_img

电阻

Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.

Продукт Номер детали Производители Упаковка Описание Техническая спецификация Запрос запроса
薄膜电阻 31.6kΩ ±0.5% 500mW 薄膜电阻 31,6 кОм ±0,5% 500 мВт ЯГЭО (国巨) - 薄膜电阻 31.6kΩ ±0.5% 500mW
薄膜电阻 31.6kΩ ±0.05% 125mW 薄膜电阻 31,6 кОм ±0,05% 125 мВт ЯГЭО (国巨) - 薄膜电阻 31.6kΩ ±0.05% 125mW
薄膜电阻 31.6kΩ ±0.1% 250mW 薄膜电阻 31,6 кОм ±0,1% 250 мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 31.6kΩ ±0.1% 250mW
薄膜电阻 31.6kΩ ±0.1% 200mW 薄膜电阻 31,6 кОм ±0,1% 200 мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 31.6kΩ ±0.1% 200mW
薄膜电阻 31.6kΩ ±0.1% 125mW 薄膜电阻 31,6 кОм ±0,1% 125 мВт TE Connectivity (泰科电子) - 薄膜电阻 31.6kΩ ±0.1% 125mW
薄膜电阻 31.6kΩ ±1% 125mW 薄膜电阻 31,6 кОм ±1% 125 мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 31.6kΩ ±1% 125mW
薄膜电阻 31.6kΩ ±0.1% 100mW 薄膜电阻 31,6 кОм ±0,1% 100 мВт СУСУМУ - 薄膜电阻 31.6kΩ ±0.1% 100mW
薄膜电阻 31.6kΩ ±0.1% 125mW 薄膜电阻 31,6 кОм ±0,1% 125 мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 31.6kΩ ±0.1% 125mW
薄膜电阻 31.6kΩ ±0.1% 125mW 薄膜电阻 31,6 кОм ±0,1% 125 мВт УЗО Компоненты, Инк. - 薄膜电阻 31.6kΩ ±0.1% 125mW
薄膜电阻 31.6kΩ ±0.01% 250mW 薄膜电阻 31,6 кОм ±0,01% 250 мВт SEI (Stackpole Electronics Inc.) - 薄膜电阻 31.6kΩ ±0.01% 250mW
薄膜电阻 42.2kΩ ±0.5% 333.333mW 薄膜电阻 42,2 кОм ±0,5% 333,333 мВт SEI (Stackpole Electronics Inc.) - 薄膜电阻 42.2kΩ ±0.5% 333.333mW
薄膜电阻 42.2kΩ ±0.5% 100mW 薄膜电阻 42,2 кОм ±0,5% 100 мВт КОА - 薄膜电阻 42.2kΩ ±0.5% 100mW
薄膜电阻 42.2kΩ ±0.1% 62.5mW 薄膜电阻 42,2 кОм ±0,1% 62,5 мВт СУСУМУ - 薄膜电阻 42.2kΩ ±0.1% 62.5mW
薄膜电阻 33kΩ ±0.5% 200mW 薄膜电阻 33кОм ±0,5% 200мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 33kΩ ±0.5% 200mW
薄膜电阻 33kΩ ±0.05% 100mW 薄膜电阻 33кОм ±0,05% 100мВт КОА - 薄膜电阻 33kΩ ±0.05% 100mW
薄膜电阻 33kΩ ±0.1% 250mW 薄膜电阻 33кОм ±0,1% 250мВт СУСУМУ - 薄膜电阻 33kΩ ±0.1% 250mW
薄膜电阻 33kΩ ±0.05% 100mW 薄膜电阻 33кОм ±0,05% 100мВт ЯГЭО (国巨) - 薄膜电阻 33kΩ ±0.05% 100mW
薄膜电阻 33kΩ ±0.5% 62.5mW 薄膜电阻 33кОм ±0,5% 62,5мВт ЯГЭО (国巨) - 薄膜电阻 33kΩ ±0.5% 62.5mW
薄膜电阻 33kΩ ±0.5% 500mW 薄膜电阻 33кОм ±0,5% 500мВт SEI (Stackpole Electronics Inc.) - 薄膜电阻 33kΩ ±0.5% 500mW
薄膜电阻 33kΩ ±0.5% 250mW 薄膜电阻 33кОм ±0,5% 250мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 33kΩ ±0.5% 250mW
薄膜电阻 27.4kΩ ±0.05% 125mW 薄膜电阻 27,4 кОм ±0,05% 125 мВт ЯГЭО (国巨) - 薄膜电阻 27.4kΩ ±0.05% 125mW
薄膜电阻 27.4kΩ ±0.5% 125mW 薄膜电阻 27,4 кОм ±0,5% 125 мВт СУСУМУ - 薄膜电阻 27.4kΩ ±0.5% 125mW
薄膜电阻 27.4kΩ ±0.1% 125mW 薄膜电阻 27,4 кОм ±0,1% 125 мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 27.4kΩ ±0.1% 125mW
薄膜电阻 27.4kΩ ±0.5% 63mW 薄膜电阻 27,4 кОм ±0,5% 63 мВт КОА - 薄膜电阻 27.4kΩ ±0.5% 63mW
薄膜电阻 27.4kΩ ±0.1% 62.5mW 薄膜电阻 27,4 кОм ±0,1% 62,5 мВт КОА - 薄膜电阻 27.4kΩ ±0.1% 62.5mW
薄膜电阻 34kΩ ±0.1% 100mW 薄膜电阻 34 кОм ±0,1% 100 мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 34kΩ ±0.1% 100mW
薄膜电阻 27.4kΩ ±0.25% 63mW 薄膜电阻 27,4 кОм ±0,25% 63 мВт КОА - 薄膜电阻 27.4kΩ ±0.25% 63mW
薄膜电阻 27.4kΩ ±1% 125mW 薄膜电阻 27,4 кОм ±1% 125 мВт КОА - 薄膜电阻 27.4kΩ ±1% 125mW
薄膜电阻 27.4kΩ ±0.1% 250mW 薄膜电阻 27,4 кОм ±0,1% 250 мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 27.4kΩ ±0.1% 250mW
薄膜电阻 34kΩ ±0.5% 100mW 薄膜电阻 34кОм ±0,5% 100мВт SEI (Stackpole Electronics Inc.) - 薄膜电阻 34kΩ ±0.5% 100mW