电阻 — Поиск электронных компонентов — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Chips_img

电阻

Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.

Больше продуктов

Продукт Номер детали Производители Упаковка Описание Техническая спецификация Запрос запроса
薄膜电阻 15.6kΩ ±1% 125mW 薄膜电阻 15,6 кОм ±1% 125 мВт КОА - 薄膜电阻 15.6kΩ ±1% 125mW
薄膜电阻 15.6kΩ ±0.1% 150mW 薄膜电阻 15,6 кОм ±0,1% 150 мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 15.6kΩ ±0.1% 150mW
薄膜电阻 15.6kΩ ±0.05% 250mW 薄膜电阻 15,6 кОм ±0,05% 250 мВт КОА - 薄膜电阻 15.6kΩ ±0.05% 250mW
薄膜电阻 20.8kΩ ±1% 125mW 薄膜电阻 20,8 кОм ±1% 125 мВт КОА - 薄膜电阻 20.8kΩ ±1% 125mW
薄膜电阻 22.9kΩ ±0.1% 125mW 薄膜电阻 22,9 кОм ±0,1% 125 мВт КОА - 薄膜电阻 22.9kΩ ±0.1% 125mW
薄膜电阻 22.9kΩ ±0.25% 100mW 薄膜电阻 22,9 кОм ±0,25% 100 мВт КОА - 薄膜电阻 22.9kΩ ±0.25% 100mW
薄膜电阻 20.8kΩ ±0.25% 125mW 薄膜电阻 20,8 кОм ±0,25% 125 мВт КОА - 薄膜电阻 20.8kΩ ±0.25% 125mW
薄膜电阻 35.7kΩ ±1% 125mW 薄膜电阻 35,7 кОм ±1% 125 мВт ЯГЭО (国巨) - 薄膜电阻 35.7kΩ ±1% 125mW
薄膜电阻 35.7kΩ ±0.05% 125mW 薄膜电阻 35,7 кОм ±0,05% 125 мВт ЯГЭО (国巨) - 薄膜电阻 35.7kΩ ±0.05% 125mW
薄膜电阻 35.7kΩ ±0.25% 250mW 薄膜电阻 35,7 кОм ±0,25% 250 мВт ЯГЭО (国巨) - 薄膜电阻 35.7kΩ ±0.25% 250mW
薄膜电阻 35.7kΩ ±0.1% 63mW 薄膜电阻 35,7 кОм ±0,1% 63 мВт ЯГЭО (国巨) - 薄膜电阻 35.7kΩ ±0.1% 63mW
薄膜电阻 35.7kΩ ±0.1% 200mW 薄膜电阻 35,7 кОм ±0,1% 200 мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 35.7kΩ ±0.1% 200mW
薄膜电阻 35.7kΩ ±0.1% 250mW 薄膜电阻 35,7 кОм ±0,1% 250 мВт TE Connectivity (泰科电子) - 薄膜电阻 35.7kΩ ±0.1% 250mW
35.7kΩ ±0.1% 100mW 薄膜电阻 35,7 кОм ±0,1% 100 мВт ПАНАСОНИК(松下) - 35.7kΩ ±0.1% 100mW 薄膜电阻
薄膜电阻 35.7kΩ ±1% 100mW 薄膜电阻 35,7 кОм ±1% 100 мВт КОА - 薄膜电阻 35.7kΩ ±1% 100mW
薄膜电阻 35.7kΩ ±0.25% 125mW 薄膜电阻 35,7 кОм ±0,25% 125 мВт КОА - 薄膜电阻 35.7kΩ ±0.25% 125mW
35.7kΩ ±0.05% 250mW 薄膜电阻 35,7 кОм ±0,05% 250 мВт ПАНАСОНИК(松下) - 35.7kΩ ±0.05% 250mW 薄膜电阻
薄膜电阻 35.7kΩ ±0.1% 63mW 薄膜电阻 35,7 кОм ±0,1% 63 мВт ЯГЭО (国巨) - 薄膜电阻 35.7kΩ ±0.1% 63mW
薄膜电阻 17.8kΩ ±0.01% 200mW 薄膜电阻 17,8 кОм ±0,01% 200 мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 17.8kΩ ±0.01% 200mW
薄膜电阻 17.8kΩ ±0.5% 125mW 薄膜电阻 17,8 кОм ±0,5% 125 мВт КОА - 薄膜电阻 17.8kΩ ±0.5% 125mW
薄膜电阻 17.8kΩ ±1% 125mW 薄膜电阻 17,8 кОм ±1% 125 мВт КОА - 薄膜电阻 17.8kΩ ±1% 125mW
薄膜电阻 17.8kΩ ±0.5% 333.333mW 薄膜电阻 17,8 кОм ±0,5% 333,333 мВт SEI (Stackpole Electronics Inc.) - 薄膜电阻 17.8kΩ ±0.5% 333.333mW
薄膜电阻 17.8kΩ ±0.1% 333.333mW 薄膜电阻 17,8 кОм ±0,1% 333,333 мВт SEI (Stackpole Electronics Inc.) - 薄膜电阻 17.8kΩ ±0.1% 333.333mW
薄膜电阻 17.8kΩ ±1% 62.5mW 薄膜电阻 17,8 кОм ±1% 62,5 мВт КОА - 薄膜电阻 17.8kΩ ±1% 62.5mW
薄膜电阻 17.8kΩ ±1% 125mW 薄膜电阻 17,8 кОм ±1% 125 мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 17.8kΩ ±1% 125mW
薄膜电阻 17.8kΩ ±0.25% 100mW 薄膜电阻 17,8 кОм ±0,25% 100 мВт ЯГЭО (国巨) - 薄膜电阻 17.8kΩ ±0.25% 100mW
30.9kΩ ±0.1% 250mW 薄膜电阻 30,9 кОм ±0,1% 250 мВт ПАНАСОНИК(松下) - 30.9kΩ ±0.1% 250mW 薄膜电阻
薄膜电阻 30.9kΩ ±0.1% 150mW 薄膜电阻 30,9 кОм ±0,1% 150 мВт ВИШАЙ (威世) - 薄膜电阻 30.9kΩ ±0.1% 150mW
薄膜电阻 30.9kΩ ±0.25% 125mW 薄膜电阻 30,9 кОм ±0,25% 125 мВт КОА - 薄膜电阻 30.9kΩ ±0.25% 125mW
薄膜电阻 30.9kΩ ±0.1% 100mW 薄膜电阻 30,9 кОм ±0,1% 100 мВт КОА - 薄膜电阻 30.9kΩ ±0.1% 100mW
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.