排阻
Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.
Больше продуктов
| Продукт | Номер детали | Производители | Упаковка | Описание | Техническая спецификация | Запрос запроса |
 | 430 Ом ±2% | БОРНС | - |  | | |
| | 430 Ом ±5% | САМСУНГ(三星) | - | | | |
| | 316 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 330 Ом ±2% | CTS (西迪斯) | - | | | |
| | 330 Ом ±5% | КАЛ-ЧИП | - | | | |
 | 330 Ом ±2% | Монек (鑫汇) | - | | | |
| | 120 Ом 280 Ом ±2% | БОРНС | - | | | |
| | 280 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 280 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 158 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
 | 158 Ом ±1% | УНИ-РОЯЛ (厚声) | - | | | |
| | 226 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 221 Ом ± 1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
 | 220 Ом ±5% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
 | 220 Ом ±5% | УНИ-РОЯЛ (厚声) | - | | | |
 | 220 Ом ±5% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
 | 240 Ом ±5% 0603x4 | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 232 Ом ±1% 0402х4 | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 280 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 280 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 330 Ом ±5% | CTS (西迪斯) | - | | | |
 | 330 Ом ±5% | ФХ (风华) | - | | | |
| | 330 Ом ±5% | CTS (西迪斯) | - | | | |
| | 309 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 255 Ом ± 1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 340 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 430 Ом ±1% | SEI (Stackpole Electronics Inc.) | - | | | |
| | 430 Ом ±5% | ВИШАЙ (威世) | - | | | |
| | 430 Ом ±5% | ВИШАЙ (威世) | - | | | |
| | 430 Ом ±2% | БОРНС | - | | |