排阻
Интегральная схема (также называемая ИС, чипом или микрочипом) представляет собой набор электронных схем на одном небольшом плоском куске (или «чипе») полупроводникового материала, обычно кремния. Интеграция большого количества микросхемных транзисторов в небольшой чип приводит к созданию схемы, которая на несколько порядков меньше, дешевле и быстрее, чем схемы, построенные из составных электронных компонентов. Микросхемы ИМС имеются в наличии на складе ALLCHIPS Electronics. ALLCHIPS предлагает инвентарь, цены и технические характеристики микросхем. Чтобы узнать больше, просмотрите наш большой раздел «Микросхемы» ниже.
Больше продуктов
| Продукт | Номер детали | Производители | Упаковка | Описание | Техническая спецификация | Запрос запроса |
| | 2,7 кОм ±2% | БОРНС | - |  | | |
| | 2,7 кОм ±1% | CTS (西迪斯) | - | | | |
| | 2,7 кОм ±2% | БОРНС | - | | | |
| | 820 Ом ±2% | CTS (西迪斯) | - | | | |
| | 2,7 кОм ±5% | БОРНС | - | | | |
| | 820 Ом ±2% | БОРНС | - | | | |
| | 820 Ом ±2% | БОРНС | - | | | |
| | 820 Ом ±2% | CTS (西迪斯) | - | | | |
| | 820 Ом ±5% | ВИШАЙ (威世) | - | | | |
| | 820 Ом ±5% | ВИШАЙ (威世) | - | | | |
| | 332 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 332 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 332 Ом ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 4,7 кОм ±1% | CTS (西迪斯) | - | | | |
| | 4,7 кОм ±2% | CTS (西迪斯) | - | | | |
| | 560 Ом ±2% | БОРНС | - | | | |
| | 560 Ом ±2% | БОРНС | - | | | |
| | 560 Ом ±2% | CTS (西迪斯) | - | | | |
| | 560 Ом ±2% | ВИШАЙ (威世) | - | | | |
| | 560 Ом 1 кОм ±2% | CTS (西迪斯) | - | | | |
| | 1,5 кОм ±1% | ЯГЭО (国巨) | - | | | |
| | 200 Ом 1,5 кОм ±0,5% | CTS (西迪斯) | - | | | |
| | 1,5 кОм ±2% | БОРНС | - | | | |
 | 750 Ом ±5% | УНИ-РОЯЛ (厚声) | - | | | |
| | 750 Ом ±5% | САМСУНГ(三星) | - | | | |
| | 750 Ом ±2% | CTS (西迪斯) | - | | | |
| | 750 Ом ±2% | CTS (西迪斯) | - | | | |
| | 750 Ом ±1% | SEI (Stackpole Electronics Inc.) | - | | | |
| | 430 Ом ±5% | CTS (西迪斯) | - | | | |
 | 430 Ом ±5% | ПАНАСОНИК(松下) | - | | |