| Параметры |
| Производитель | ЭПК Спейс, ООО |
| Ряд | ЭГАН® |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | GaNFET (нитрид галлия) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 80А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 5В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 6 мОм при 40 А, 5 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2,5 В при 12 мА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 11,7 НК при 5 В |
| ВГС (Макс) | +6В, -4В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1240 пФ при 50 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | - |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | 5-СМД |
| Пакет/ключи | 5-СМД, без свинца |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | Затронуто REACH |
| Другие имена | 4107-EPC7018ГШ |
| Стандартный пакет | 1 |
N-канал 100 В 80 А (Tc) для поверхностного монтажа 5-SMD