Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K217FE,LF - Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K217FE,LF

SSM6K217FE,ЛФ

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K217FE,LF
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 37
  • Артикул: SSM6K217FE,ЛФ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,3700

Дополнительная цена:$0,3700

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд У-МОСVII-H
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1,8 А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,8 В, 8 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 195 мОм при 1 А, 8 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,2 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1,1 нк при 4,2 В
ВГС (Макс) ±12 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 130 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 500 мВт (Та)
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ES6
Пакет/ключи СОТ-563, СОТ-666
Базовый номер продукта ССМ6К217
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 4000
Н-канал 40 В 1,8 А (Та) 500 мВт (Та) для поверхностного монтажа ES6