| Параметры |
| Производитель | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |
| Ряд | У-МОСVII-H |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 40 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 1,8 А (Та) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 1,8 В, 8 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 195 мОм при 1 А, 8 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1,2 В при 1 мА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 1,1 нк при 4,2 В |
| ВГС (Макс) | ±12 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 130 пФ при 10 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 500 мВт (Та) |
| Рабочая температура | 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | ES6 |
| Пакет/ключи | СОТ-563, СОТ-666 |
| Базовый номер продукта | ССМ6К217 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Стандартный пакет | 4000 |
Н-канал 40 В 1,8 А (Та) 500 мВт (Та) для поверхностного монтажа ES6