Технология Янцзе MG35P12P3

Транзисторы - IGBT - Модули P3

Производитель: Технология Янцзе
Номер производителя: Технология Янцзе MG35P12P3
Упаковка: Масса
Техническая спецификация:-
Запас: 2
Артикул: МГ35П12П3
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $45,6958

Дополнительная цена:$45,6958

Подробности

Параметры
Производитель	Технология Янцзе
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	-
Конфигурация	Трехфазный инвертор с тормозом
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	35 А
Мощность - Макс.	215 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2,25 В при 15 В, 35 А
Ток-отсечка коллектора (макс.)	1 мА
Входная емкость (Cies) при Vce	2 нФ @ 25 В
Вход	Трехфазный мостовой выпрямитель
НТЦ-термистор	Да
Рабочая температура	-40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	-
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
Другие имена	4617-МГ35П12П3
Стандартный пакет	24

Модуль IGBT, трехфазный инвертор с тормозом, 1200 В, 35 А, 215 Вт, крепление на кронштейне