Технология Янцзе DGW30N65BTH

Транзисторы - IGBT - Single TO-

Производитель: Технология Янцзе
Номер производителя: Технология Янцзе DGW30N65BTH
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация:-
Запас: 180
Артикул: ДГВ30Н65БТХ
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $2,2360

Дополнительная цена:$2,2360

Подробности

Параметры
Производитель	Технология Янцзе
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	-
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	650 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	60 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm)	120 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2,4 В при 15 В, 30 А
Мощность - Макс.	187 Вт
Переключение энергии	870 мкДж (вкл.), 260 мкДж (выкл.)
Тип входа	Стандартный
Заряд от ворот	150 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C	37 нс/113 нс
Условия испытаний	300 В, 30 А, 33 Ом, 15 В
Время обратного восстановления (trr)	35 нс
Рабочая температура	-40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования	ТО-247
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
Другие имена	4617-DGW30N65BTHTR
Стандартный пакет	1800 г.

IGBT 650 В 60 А 187 Вт сквозное отверстие ТО-247