Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Nexperia USA Inc. PH3230S,115 - Nexperia USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Nexperia USA Inc. PH3230S,115

РН3230С, 115

  • Производитель: Нексперия США Инк.
  • Номер производителя: Nexperia USA Inc. PH3230S,115
  • Упаковка: Разрезанная лента (CT)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6407
  • Артикул: РН3230С, 115
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Нексперия США Инк.
Ряд -
Упаковка Разрезанная лента (CT)
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 3,2 мОм при 25 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 42 НК при 5 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4100 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ЛФПАК56, Мощность-СО8
Пакет/ключи СК-100, СОТ-669
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1500
Н-канальный, 30 В, 100 А (Tc), для поверхностного монтажа LFPAK56, Power-SO8