| Параметры |
| Производитель | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | ПНП |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 18 А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 160 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 2 В при 900 мА, 9 А |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 1 мкА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 80 @ 1А, 5В |
| Мощность - Макс. | 180 Вт |
| Частота – переход | 30 МГц |
| Рабочая температура | 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-3ПЛ |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-3П(Л) |
| Базовый номер продукта | ТТА0002 |
| Статус RoHS | Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0075 |
| Другие имена | ТТА0002Q |
| Стандартный пакет | 100 |
Биполярный (BJT) транзистор PNP 160 В 18 А 30 МГц 180 Вт Сквозное отверстие ТО-3П(Л)