| Параметры |
| Производитель | Микрон Технология Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | ДРАМ |
| Размер | 256Мбит |
| Организация | 16М х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 200 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Напряжение питания | 1,7 В ~ 1,95 В |
| Рабочая температура | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 144-ТФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 144-мкБГА (18,5х11) |
| Базовый номер продукта | МТ49Х16М16 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0036 |
| Стандартный пакет | 1000 |
Микросхема памяти DRAM, 256 Мбит, параллельная, 200 МГц, 144 µBGA (18,5x11)