Toshiba Semiconductor and Storage TK60P03M1,RQ(S)

ТК60П03М1,РК(С

Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TK60P03M1,RQ(S)
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 6776
Артикул: ТК60П03М1,РК(С
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,3 В при 500 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	40 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	2700 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	63 Вт (Тс)
Рабочая температура	150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	ДПАК
Пакет/ключи	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Базовый номер продукта	ТК60П03
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	2000 г.
Производитель	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд	У-МОСВИ-Х
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Устаревший
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	60А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	6,4 мОм при 30 А, 10 В

N-канальный 30 В 60 А (Ta) 63 Вт (Tc) для поверхностного монтажа DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage TK60P03M1,RQ(S)

Подробности

Теги

Больше продуктов

О нас

УСЛУГИ

ПРОДУКЦИЯ