Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies IPP120N10S403AKSA1 — полевые транзисторы Infineon Technologies, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Infineon Technologies IPP120N10S403AKSA1

ИПП120Н10С403АКСА1

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Infineon Technologies IPP120N10S403AKSA1
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9231
  • Артикул: ИПП120Н10С403АКСА1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™
Упаковка Трубка
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 120А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 3,9 мОм при 100 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,5 В при 180 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 140 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 10120 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 250 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ПГ-ТО220-3-1
Пакет/ключи ТО-220-3
Базовый номер продукта ИПП120
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 500
Н-канальный 100 В 120 А (Tc) 250 Вт (Tc) Сквозное отверстие PG-TO220-3-1