| Параметры |
| Производитель | Винбонд Электроникс |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM-DDR |
| Размер | 128Мбит |
| Организация | 8М х 16 |
| Интерфейс памяти | SSTL_2 |
| Тактовая частота | 250 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | 12нс |
| Время доступа | 650 пс |
| Напряжение питания | 2,4 В ~ 2,7 В |
| Рабочая температура | 0°С ~ 70°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 60-ТФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 60-ТФБГА (8х13) |
| Базовый номер продукта | W9412G6 |
| ECCN | УСТАРЕВШИЙ |
| Другие имена | 256-W9412G6JB-4TR |
| Стандартный пакет | 1 |
SDRAM — ИС память DDR 128 Мбит SSTL_2 250 МГц 650 пс 60-TFBGA (8x13)