Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Nexperia USA Inc. PSMN3R5-25MLDX - Nexperia USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Nexperia USA Inc. PSMN3R5-25MLDX

ПСМН3Р5-25МЛДКС

  • Производитель: Нексперия США Инк.
  • Номер производителя: Nexperia USA Inc. PSMN3R5-25MLDX
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1
  • Артикул: ПСМН3Р5-25МЛДКС
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,9200

Дополнительная цена:$0,9200

Подробности

Теги

Параметры
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ЛФПАК33
Пакет/ключи СОТ-1210, 8-ЛФПАК33 (5-выводной)
Базовый номер продукта ПСМН3Р5
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1500
Производитель Нексперия США Инк.
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 25 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 70А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 3,72 мОм при 25 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,2 В при 1 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 18,9 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1334 пФ при 12 В
Особенность левого транзистора Диод Шоттки (корпус)
Рассеиваемая мощность (макс.) 65 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
N-канальный 25 В 70 А (Tc) 65 Вт (Tc) для поверхностного монтажа LFPAK33