Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMG3415UFY4Q-7 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед DMG3415UFY4Q-7

DMG3415UFY4Q-7

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMG3415UFY4Q-7
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 78
  • Артикул: DMG3415UFY4Q-7
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4000

Дополнительная цена:$0,4000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 16 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2,5 А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,8 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 39 мОм при 4 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 10 НК при 4,5 В
ВГС (Макс) ±8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 282 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 650 мВт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования X2-DFN2015-3
Пакет/ключи 3-XDFN
Базовый номер продукта ДМГ3415
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 3000
П-канал 16 В 2,5 А (Ta) 650 мВт (Ta) для поверхностного монтажа X2-DFN2015-3