Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SUM70030M-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Силиконикс SUM70030M-GE3

МОП-транзистор Н-Ч 100 В 150 А ТО263-7

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Силиконикс SUM70030M-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9434
  • Артикул: SUM70030M-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $3.5300

Дополнительная цена:$3.5300

Подробности

Теги

Параметры
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 10870 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 375 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-263-7
Пакет/ключи ТО-263-7, Д²Пак (6 отведений + вкладка)
Базовый номер продукта SUM70030
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 800
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 150А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 3,5 мОм при 30 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 214 НК при 10 В
Н-канал 100 В 150 А (Тс) 375 Вт (Тс) для поверхностного монтажа ТО-263-7