Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SQW33N65EF-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SQW33N65EF-GE3

МОЩНЫЙ МОП-транзистор СЕРИИ Е С БЫСТРЫМ

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SQW33N65EF-GE3
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 519
  • Артикул: SQW33N65EF-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $6.1900

Дополнительная цена:$6.1900

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101, E
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 34А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 109 мОм при 16,5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 173 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3972 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 375 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-247АД
Пакет/ключи ТО-247-3
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 742-SQW33N65EF-GE3
Стандартный пакет 480
N-канал 650 В 34 А (Tc) 375 Вт (Tc) сквозное отверстие ТО-247AD