Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SQJ912DEP-T1_GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SQJ912DEP-T1_GE3

АВТОМОБИЛЬНЫЙ ДВОЙНОЙ Н-КАНАЛЬНЫЙ 40 В (

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SQJ912DEP-T1_GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 6469
  • Артикул: SQJ912DEP-T1_GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1.0500

Дополнительная цена:$1.0500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 40В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 7,3 мОм при 7 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 36 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds -
Мощность - Макс. 27 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи PowerPAK® SO-8 двойной
Поставщик пакета оборудования PowerPAK® SO-8 двойной
Базовый номер продукта SQJ912
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 742-SQJ912DEP-T1_GE3TR
Стандартный пакет 3000
Массив МОП-транзисторов 40 В, 30 А (Tc), 27 Вт (Tc), для поверхностного монтажа PowerPAK® SO-8 Dual