Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SQD50P04-13L_T4GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SQD50P04-13L_T4GE3

П-КАНАЛЬНЫЙ 40-В (ДС) МОП-транзистор 175С

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SQD50P04-13L_T4GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 78
  • Артикул: SQD50P04-13L_T4GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,4600

Дополнительная цена:$1,4600

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 50А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 13 мОм при 17 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 80 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3590 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3 Вт (Та), 136 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-252АА
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
P-канал 40 В 50 А (Tc) 3 Вт (Ta), 136 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа TO-252AA