Парметр |
Млн | Виаликоеникс |
В припании | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | 2 n-канал (Дзонано) |
FET FUONKSHINA | - |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 30 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 8a (TC) |
Rds on (max) @ id, vgs | 14,5mohm @ 6a, 10v |
Vgs (th) (max) @ id | 2,5 -50 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 30NC @ 10V |
Взёр. | 1465pf @ 15v |
Синла - МАКС | 4,4 yt (tc) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8 лейт |
Baзowый nomer prodikta | SQ4920 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 742-SQ4920EY-T1_BE3TR |
Станодар | 2500 |
Массив MOSFET 30V 8A (TC) 4,4 st (Tc) poverхnoStnoe