Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SQ4153EY-T1_BE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Силиконикс SQ4153EY-T1_BE3

МОП-транзистор П-КАНАЛЬНЫЙ 12В 25А 8SOIC

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Силиконикс SQ4153EY-T1_BE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 485
  • Артикул: SQ4153EY-T1_BE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,6500

Дополнительная цена:$1,6500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 25А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,8 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 8,32 мОм при 14 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 900 мВ при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 151 НК при 4,5 В
ВГС (Макс) ±8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 11000 пФ при 6 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 7,1 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-СОИК
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Базовый номер продукта SQ4153
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
P-канал 12 В 25 А (Tc) 7,1 Вт (Tc) для поверхностного монтажа 8-SOIC