Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SIZF906BDT-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIZF906BDT-T1-GE3

ДВОЙНОЙ Н-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор 30 В (DS)

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIZF906BDT-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 29
  • Артикул: SIZF906BDT-T1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $2.0200

Дополнительная цена:$2.0200

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд TrenchFET® Gen IV
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной), Шоттки
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 36А(Та), 105А(Тс), 63А(Та), 257А(Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 2,1 мОм при 15 А, 10 В, 680 мкОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,2 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 49 нк при 10 В, 165 нк при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1630пФ при 15В, 5550пФ при 15В
Мощность - Макс. 4,5 Вт (Ta), 38 Вт (Tc), 5 Вт (Ta), 83 Вт (Tc)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-PowerWDFN
Поставщик пакета оборудования 8-PowerPair® (6x5)
Базовый номер продукта СИЗФ906
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 742-SIZF906BDT-T1-GE3CT
Стандартный пакет 3000
Массив МОП-транзисторов 30 В, 36 А (Ta), 105 А (Tc), 63 А (Ta), 257 А (Tc) 4,5 Вт (Ta), 38 Вт (Tc), 5 Вт (Ta), 83 Вт (Tc) Для внешнего монтажа 8-PowerPair® (6x5)