| Параметры |
| Производитель | Вишай Силиконикс |
| Ряд | TrenchFET® Gen IV |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Конфигурация | 2 N-канала (двойной), Шоттки |
| Особенность левого транзистора | - |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 23,7 А (Та), 54,8 А (Тс), 36,2 А (Та), 94,6 А (Тс) |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 4,39 мОм при 15 А, 10 В, 2,4 мОм при 19 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2,2 В @ 250 мкА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 18 нк при 10 В, 46,7 нк при 10 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 790пФ при 15В, 2130пФ при 15В |
| Мощность - Макс. | 3,8 Вт (Ta), 20 Вт (Tc), 4,8 Вт (Ta), 32,9 Вт (Tc) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 8-PowerWDFN |
| Поставщик пакета оборудования | 8-PowerPair® (6x5) |
| Базовый номер продукта | СИЗ998 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | 742-SIZ998BDT-T1-GE3TR |
| Стандартный пакет | 3000 |
Массив МОП-транзисторов 30 В 23,7 А (Ta), 54,8 А (Tc), 36,2 А (Ta), 94,6 А (Tc) 3,8 Вт (Ta), 20 Вт (Tc), 4,8 Вт (Ta), 32,9 Вт (Tc) Для внешнего монтажа 8-PowerPair® (6x5)