Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SIZ998BDT-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIZ998BDT-T1-GE3

ДВОЙНОЙ Н-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор 30 В (DS)

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIZ998BDT-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 18
  • Артикул: СИЗ998БДТ-Т1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,9400

Дополнительная цена:$0,9400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд TrenchFET® Gen IV
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной), Шоттки
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 23,7 А (Та), 54,8 А (Тс), 36,2 А (Та), 94,6 А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 4,39 мОм при 15 А, 10 В, 2,4 мОм при 19 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,2 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 18 нк при 10 В, 46,7 нк при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 790пФ при 15В, 2130пФ при 15В
Мощность - Макс. 3,8 Вт (Ta), 20 Вт (Tc), 4,8 Вт (Ta), 32,9 Вт (Tc)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-PowerWDFN
Поставщик пакета оборудования 8-PowerPair® (6x5)
Базовый номер продукта СИЗ998
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 742-SIZ998BDT-T1-GE3TR
Стандартный пакет 3000
Массив МОП-транзисторов 30 В 23,7 А (Ta), 54,8 А (Tc), 36,2 А (Ta), 94,6 А (Tc) 3,8 Вт (Ta), 20 Вт (Tc), 4,8 Вт (Ta), 32,9 Вт (Tc) Для внешнего монтажа 8-PowerPair® (6x5)