| Параметры |
| Производитель | Вишай Силиконикс |
| Ряд | TrenchFET® Gen IV |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Конфигурация | 2 N-канала (двойной) |
| Особенность левого транзистора | - |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 15,7 А (Та), 33,4 А (Тс) |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 9,4 мОм при 10 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2,4 В при 250 мкА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 12,2 НК при 10 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 580пФ при 15В |
| Мощность - Макс. | 3,7 Вт (Та), 16,7 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 8-PowerWDFN |
| Поставщик пакета оборудования | 8-Сила33 (3х3) |
| Базовый номер продукта | СИЗ342 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | 742-SIZ342ADT-T1-GE3CT |
| Стандартный пакет | 3000 |
Массив МОП-транзисторов 30 В 15,7 А (Ta), 33,4 А (Tc) 3,7 Вт (Ta), 16,7 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-Power33 (3x3)