Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SIZ270DT-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIZ270DT-T1-GE3

ДВОЙНОЙ Н-КАНАЛЬНЫЙ 100 В (DS) МОСФЕ

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIZ270DT-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8
  • Артикул: СИЗ270ДТ-Т1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,4100

Дополнительная цена:$1,4100

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд TrenchFET® Gen IV
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7,1 А (Та), 19,5 А (Тс), 6,9 А (Та), 19,1 А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 37,7 мОм при 7 А, 10 В, 39,4 мОм при 7 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,4 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 27 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 860пФ при 50В, 845пФ при 50В
Мощность - Макс. 4,3 Вт (Та), 33 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-PowerWDFN
Поставщик пакета оборудования 8-PowerPair® (3,3x3,3)
Базовый номер продукта СИЗ270
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
Массив МОП-транзисторов 100 В 7,1 А (Ta), 19,5 А (Tc), 6,9 А (Ta), 19,1 А (Tc) 4,3 Вт (Ta), 33 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-PowerPair® (3,3x3,3)