Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SIZ256DT-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIZ256DT-T1-GE3

ДВОЙНОЙ Н-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор 70 В (DS)

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIZ256DT-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8613
  • Артикул: СИЗ256ДТ-Т1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,3100

Дополнительная цена:$1,3100

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд TrenchFET® Gen IV
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 70В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11,5 А (Та), 31,8 А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 17,6 мОм при 7 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 27 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1060пФ при 35В
Мощность - Макс. 4,3 Вт (Та), 33 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-PowerWDFN
Поставщик пакета оборудования 8-PowerPair® (3,3x3,3)
Базовый номер продукта СИЗ256
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 742-SIZ256DT-T1-GE3TR
Стандартный пакет 3000
Массив МОП-транзисторов 70 В 11,5 А (Ta), 31,8 А (Tc) 4,3 Вт (Ta), 33 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-PowerPair® (3,3x3,3)