Vishay Siliconix SISS52DN-T1-GE3

Mosfet N-CH 30V 47.1a/162a ppak

Проиджоделх: Виаликоеникс
NoMerPOIзVODITELEL: Vishay Siliconix SISS52DN-T1-GE3
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 23
Sku: SISS52DN-T1-GE3
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $1.0600

Эkst цena:$1.0600

Подрэбной

Парметр
Млн	Виаликоеникс
В припании	Trenchfet® Gen V.
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	30
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	47.1a (TA), 162a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	1,2 мома @ 20а, 10
Vgs (th) (max) @ id	2,2 pri 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	65 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	+16 В, -12 В.
Взёр.	2950 pf @ 15 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	4,8 yt (ta), 57 yt (tc)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	PowerPak® 1212-8SH
PakeT / KORPUES	PowerPak® 1212-8SH
Baзowый nomer prodikta	SISS52
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Дрогин ИНЕНА	742-SISS52DN-T1-GE3TR
Станодар	3000

N-kanal 30- 47,1A (TA), 162a (TC) 4,8 st (TA), 57 Вт (TC) POHU