Vishay Siliconix SISS32ADN-T1-GE3

Mosfet N-CH 80V 17.4a/63a ppak

Проиджоделх: Виаликоеникс
NoMerPOIзVODITELEL: Vishay Siliconix SISS32ADN-T1-GE3
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
ЗapaS: 23
Sku: SISS32ADN-T1-GE3
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $1.5500

Эkst цena:$1.5500

Подрэбной

Парметр
Млн	Виаликоеникс
В припании	Trenchfet® Gen IV
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	80
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	17.4a (TA), 63a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	7,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	7,3 мома @ 10а, 10
Vgs (th) (max) @ id	3,6 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	36 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	1520 PF @ 40 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	5 Вт (TA), 65,7 st (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	PowerPak® 1212-8s
PakeT / KORPUES	PowerPak® 1212-8s
Baзowый nomer prodikta	SISS32
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Дрогин ИНЕНА	742-SISS32ADN-T1-GE3TR
Станодар	3000

N-kanal 80 v 17,4a (ta), 63a (tc) 5w (ta), 65,7 vt (tc) poverхnostnoe