Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SISF06DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SISF06DN-T1-GE3

ОБЩИЙ СТОК ДВОЙНОЙ Н-Ч 30 В (S1-S

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SISF06DN-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5
  • Артикул: SISF06DN-T1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1.1800

Дополнительная цена:$1.1800

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд TrenchFET® Gen IV
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канальных (двойных) с общим стоком
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 28А (Та), 101А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 4,5 мОм при 7 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,3 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 45 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2050пФ при 15В
Мощность - Макс. 5,2 Вт (Та), 69,4 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи PowerPAK® 1212-8SCD
Поставщик пакета оборудования PowerPAK® 1212-8SCD
Базовый номер продукта SISF06
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
Массив МОП-транзисторов 30 В, 28 А (Ta), 101 А (Tc), 5,2 Вт (Ta), 69,4 Вт (Tc) для поверхностного монтажа PowerPAK® 1212-8SCD