Vishay Siliconix SIS112LDN-T1-GE3

N-kanol 100 v (ds) mosfet pow

Проиджоделх: Виаликоеникс
NoMerPOIзVODITELEL: Vishay Siliconix SIS112LDN-T1-GE3
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 7112
Sku: SIS112LDN-T1-GE3
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,6900

Эkst цena:$0,6900

Подрэбной

Парметр
Млн	Виаликоеникс
В припании	Trenchfet®
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	100
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	3.5a (TA), 8,8a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	119mohm @ 3,5a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	11,8 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	355 pf @ 50 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	3,2 yt (ta), 19,8 yt (tc)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	PowerPak® 1212-8
PakeT / KORPUES	PowerPak® 1212-8
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Дрогин ИНЕНА	742-SIS112LDN-T1-GE3CT
Станодар	3000

N-kanaol 100 v 3,5а (TA), 8,8a (Tc) 3,2 st (TA), 19,8 st (tc) poverхnoStnoe kreplenenie powerpak® 1212-8