Vishay Siliconix SIRA20BDP-T1-GE3

МОП-транзистор Н-Ч 25 В 82 А/335 А ППАК

Производитель: Вишай Силиконикс
Номер производителя: Vishay Siliconix SIRA20BDP-T1-GE3
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 10
Артикул: SIRA20BDP-T1-GE3
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,6500

Дополнительная цена:$1,6500

Подробности

Параметры
Производитель	Вишай Силиконикс
Ряд	TrenchFET® Gen IV
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	25 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	82А (Та), 335А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	0,58 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,1 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	186 НК при 10 В
ВГС (Макс)	+16В, -12В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	9950 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	6,3 Вт (Та), 104 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	ПауэрПАК® СО-8
Пакет/ключи	ПауэрПАК® СО-8
Базовый номер продукта	СИРА20
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	742-SIRA20BDP-T1-GE3CT
Стандартный пакет	3000

N-канал 25 В 82 А (Ta), 335 А (Tc) 6,3 Вт (Ta), 104 Вт (Tc) PowerPAK® SO-8 для поверхностного монтажа