Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SIR826LDP-T1-RE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIR826LDP-T1-RE3

МОП-транзистор Н-Ч 80 В 21,3 А/86 А ПАК

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIR826LDP-T1-RE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 1
  • Артикул: SIR826LDP-T1-RE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,6400

Дополнительная цена:$1,6400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд TrenchFET® Gen IV
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 21,3А (Та), 86А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 5 мОм при 15 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,4 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 91 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3840 пФ при 40 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 5 Вт (Та), 83 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ПауэрПАК® СО-8
Пакет/ключи ПауэрПАК® СО-8
Базовый номер продукта СИР826
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 742-SIR826LDP-T1-RE3TR
Стандартный пакет 3000
N-канал 80 В 21,3 А (Ta), 86 А (Tc) 5 Вт (Ta), 83 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа PowerPAK® SO-8