Vishay Siliconix Sijh112e-t1-Ge3

MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK

Проиджодел: Виаликоеникс
NoMerPOIзVODITELEL: Vishay Siliconix Sijh112e-t1-Ge3
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
ЗapaS: 3
Sku: SIJH112E-T1-GE3
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $4,6000

Эkst цena:$4,6000

Подрэбной

Парметр
Млн	Виаликоеникс
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	100
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	23a (TA), 225a (TC)
Rds on (max) @ id, vgs	2,8mohm @ 20a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	4 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	160 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	8050 pf @ 50 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	3,3 Вт (ТА), 333W (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	PowerPak® 8 x 8
PakeT / KORPUES	8-Powertdfn
Baзowый nomer prodikta	Sijh112
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Дрогин ИНЕНА	742-SIJH112E-T1-GE3TR
Станодар	2000

N-kanal 100-23A (TA), 225A (TC) 3,3 sta (TA), 333W (TC) PORHERхNOSTNOE