Vishay Siliconix SIHB5N80AE-GE3

E series power mosfet d2pak (to-

Проиджоделх: Виаликоеникс
NoMerPOIзVODITELEL: Vishay Siliconix SIHB5N80AE-GE3
Епаково: Трубка
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 840
Sku: SIHB5N80AE-GE3
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $1.6100

Эkst цena:$1.6100

Подрэбной

Парметр
Млн	Виаликоеникс
В припании	ЭN
Упако	Трубка
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	800 В
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	4.4a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	1,35OM @ 1,5а, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	4 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	16,5 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 30 v
Взёр.	321 pf @ 100 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	62,5 yt (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	D²PAK (DO 263)
PakeT / KORPUES	TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Дрогин ИНЕНА	742-SIHB5N80AE-GE3
Станодар	50

N-kanal 800-4,4а (Tc) 62,5 st (tc) poverхnostnoe kreneplenee d²pak (do-263)