Vishay Siliconix SIHB24N65EFT1-GE3

N-KANAL 650

Проиджодел: Виаликоеникс
NoMerPOIзVODITELEL: Vishay Siliconix SIHB24N65EFT1-GE3
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 385
Sku: SIHB24N65EFT1-GE3
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $6.0100

Эkst цena:$6.0100

Подрэбной

Парметр
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	156mohm @ 12a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	4 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	122 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 30 v
Взёр.	2774 PF @ 100 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	250 yt (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	263 (D²PAK)
PakeT / KORPUES	TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Дрогин ИНЕНА	742-SIHB24N65EFT1-GE3TR
Станодадж	800
Млн	Виаликоеникс
В припании	ЭN
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	650
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	24а (TC)

N-kanal 650-24a (Tc) 250 sto (tc).