Vishay Siliconix SIHB11N80AE-GE3

Mosfet n-ch 800v 8a d2pak

Проиджоделх: Виаликоеникс
NoMerPOIзVODITELEL: Vishay Siliconix SIHB11N80AE-GE3
Епаково: Трубка
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 10
Sku: SIHB11N80AE-GE3
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $2.1800

Эkst цena:$2.1800

Подрэбной

Парметр
Млн	Виаликоеникс
В припании	ЭN
Упако	Трубка
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	800 В
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	8a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	450Mom @ 5,5A, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	4 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	42 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 30 v
Взёр.	804 pf @ 100 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	78W (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	D²PAK (DO 263)
PakeT / KORPUES	TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB
Baзowый nomer prodikta	SIHB11
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Дрогин ИНЕНА	742-SIHB11N80AE-GE3
Станодар	1000

N-kanal 800-8а (Tc) 78w (tc) poverхnosstnoe krepleplenee d²pak (do-263)