Vishay Siliconix SIHB080N60E-GE3

E series power mosfet d2pak (to-

Проиджодел: Виаликоеникс
NoMerPOIзVODITELEL: Vishay Siliconix SIHB080N60E-GE3
Епаково: Трубка
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 1
Sku: SIHB080N60E-GE3
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $5.4800

Эkst цena:$5.4800

Подрэбной

Парметр
Млн	Виаликоеникс
В припании	ЭN
Упако	Трубка
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	600
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	35A (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	80mohm @ 17a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	5 w @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	63 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 30 v
Взёр.	2557 pf @ 100 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	227W (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	D²PAK (DO 263)
PakeT / KORPUES	TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Дрогин ИНЕНА	742-SIHB080N60E-GE3
Станодадж	50

N-kanal 600-35a (tc) 227w (tc) poverхnostnoe kreplepleneene d²pak (do-263)