Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SIHA24N80AE-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Силиконикс SIHA24N80AE-GE3

МОП-транзистор Н-Ч 800В 9А ТО220

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Силиконикс SIHA24N80AE-GE3
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 794
  • Артикул: SIHA24N80AE-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $3.4600

Дополнительная цена:$3.4600

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 800 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9А (Тц)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 184 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 89 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1836 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 35 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220 Полный пакет
Пакет/ключи ТО-220-3 Полный пакет
Базовый номер продукта СИХА24
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 742-SIHA24N80AE-GE3
Стандартный пакет 50
Н-канальный, 800 В, 9 А (Tc) 35 Вт (Tc), сквозное отверстие ТО-220, полный комплект