Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SIA112LDJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIA112LDJ-T1-GE3

Н-КАНАЛЬНЫЙ 100-В (ДС) МОП-транзистор ПОВ

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIA112LDJ-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1502
  • Артикул: SIA112LDJ-T1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,7100

Дополнительная цена:$0,7100

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3,5 А (Та), 8,8 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 14 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11,8 нк при 10 В
ВГС (Макс) ±25 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 355 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2,9 Вт (Та), 15,6 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования PowerPAK® SC-70-6
Пакет/ключи PowerPAK® SC-70-6
Базовый номер продукта СИА112
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
N-канал 100 В 3,5 А (Ta), 8,8 А (Tc) 2,9 Вт (Ta), 15,6 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа PowerPAK® SC-70-6