Парметр |
Млн | Виаликоеникс |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | 2 n-канал (Дзонано) |
FET FUONKSHINA | - |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 20 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 4.1a (TA) |
Rds on (max) @ id, vgs | 30mohm @ 4,5a, 4,5 |
Vgs (th) (max) @ id | 1В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 10,5 нк @ 4,5 |
Взёр. | - |
Синла - МАКС | 830 м. (ТАК) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 8-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-tssop |
Baзowый nomer prodikta | SI6926 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.21.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 742-SI6926ADQ-T1-BE3TR |
Станодадж | 3000 |
MOSFET Array 20V 4.1A (TA) 830 м. (TA)