Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SI3407DV-T1-BE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SI3407DV-T1-BE3

МОП-транзистор П-Ч 20 В 7,5 А/8 А 6ТСОП

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SI3407DV-T1-BE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 1
  • Артикул: SI3407DV-T1-BE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,5100

Дополнительная цена:$0,5100

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7,5 А (Та), 8 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 2,5 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 24 мОм при 7,5 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 63 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±12 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1670 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2 Вт (Та), 4,2 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 6-ЦОП
Пакет/ключи СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6
Базовый номер продукта СИ3407
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
П-канал 20 В 7,5 А (Ta), 8 А (Tc) 2 Вт (Ta), 4,2 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 6-TSOP