Vishay Siliconix SI3129DV-T1-GE3

P-Kanal 80 v (ds) mosfet tsop

Проиджодел: Виаликоеникс
NoMerPOIзVODITELEL: Vishay Siliconix SI3129DV-T1-GE3
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 6042
Sku: SI3129DV-T1-GE3
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,6800

Эkst цena:$0,6800

Подрэбной

Парметр
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	80
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	3.8a (ta), 5,4a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	82,7mohm @ 3,8a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	18 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	805 pf @ 40 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	2W (TA), 4,2 st (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	6-й стоп
PakeT / KORPUES	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Дрогин ИНЕНА	742-SI3129DV-T1-GE3TR
Станодар	3000
Млн	Виаликоеникс
В припании	Trenchfet®

P-Kanal 80 В 3,8A (TA), 5,4A (TC) 2W (TA), 4,2-м (TC)