Vishay Siliconix SI2319CDS-T1-BE3

MOSFET P-CH 40 Е 3,1А/4,4a SOT23

Проиджоделх: Виаликоеникс
NoMerPOIзVODITELEL: Vishay Siliconix SI2319CDS-T1-BE3
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 216
Sku: SI2319CDS-T1-BE3
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,5700

Эkst цena:$0,5700

Подрэбной

Парметр
Млн	Виаликоеникс
В припании	Trenchfet®
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	40
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	3.1a (TA), 4.4a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	77mohm @ 3,1a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	21 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	595 PF @ 20 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	1,25 мкт (ТА), 2,5 st (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	SOT-23-3 (TO-236)
PakeT / KORPUES	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3
Baзowый nomer prodikta	SI2319
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	3000

P-Kanal 40 v 3,1A (TA), 4,4a (Tc) 1,25 st (TA), 2,5 st (Tc) powerхnoStnoe krenepleniee sot-23-3 (ДД 236)