Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix IRF624PBF-BE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix IRF624PBF-BE3

МОП-транзистор N-CH 250 В 4,4 А TO220AB

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix IRF624PBF-BE3
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5299
  • Артикул: IRF624PBF-BE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,8831

Дополнительная цена:$0,8831

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 250 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4,4 А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 1,1 Ом @ 2,6 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 14 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 260 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 50 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220АБ
Пакет/ключи ТО-220-3
Базовый номер продукта IRF624
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 742-IRF624PBF-BE3
Стандартный пакет 50
N-канал 250 В 4,4 А (Tc) 50 Вт (Tc) сквозное отверстие ТО-220AB