Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов VS-GT75YF120UT

ЭКОНО-4 КОМПЛЕКТА IGBT

Производитель: Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов
Номер производителя: Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов VS-GT75YF120UT
Упаковка: Коробка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 107
Артикул: ВС-GT75YF120UT
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $146.1400

Дополнительная цена:$146.1400

Подробности

Параметры
Производитель	Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов
Ряд	-
Упаковка	Коробка
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	Траншейная полевая остановка
Конфигурация	Полный мост
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	118 А
Мощность - Макс.	431 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2,6 В @ 15 В, 75 А
Ток-отсечка коллектора (макс.)	100 мкА
Вход	Стандартный
НТЦ Термистор	Да
Рабочая температура	-40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	-
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	112-ВС-ГТ75YФ120УТ
Стандартный пакет	12

Модуль IGBT Trench Field Stop Полный мост 1200 В 118 А 431 Вт Монтаж на шасси