Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay General Semiconductor — подразделение диодов VS-GT300TD60S — Vishay General Semiconductor — подразделение диодов IGBT — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов VS-GT300TD60S

IGBT MOD 600В 580А INT-A-PAK

  • Производитель: Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов
  • Номер производителя: Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов VS-GT300TD60S
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 7129
  • Артикул: ВС-ГТ300ТД60С
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $209.2825

Дополнительная цена:$209.2825

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов
Ряд ФРЕД Пт®
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ Траншейная полевая остановка
Конфигурация Половина моста
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 600 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 466 А
Мощность - Макс. 882 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 1,47 В @ 15 В, 300 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 200 мкА
Входная емкость (Cies) при Vce 24,2 нФ при 25 В
Вход Стандартный
НТЦ Термистор Нет
Рабочая температура -40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования ИНТ-А-ПАК
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 112-ВС-ГТ300ТД60С
Стандартный пакет 12
Модуль IGBT Trench Field Stop Полумост 600 В 466 А 882 Вт Монтаж на шасси INT-A-PAK